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SIHG25N40D-GE3 /MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-247AC
SIHG25N40D-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247AC-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:14 A

Rds On-漏源导通电阻:400 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:29 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:208 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:20.82 mm

长度:15.87 mm

系列:D

宽度:5.31 mm

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:26 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:27 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:29 ns

典型接通延迟时间:16 ns

单位重量:38 g

供应商SIHG25N40D-GE3
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集好芯城SIHG25N40D-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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13352985419,19076157484
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIHG25N40D-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市宇浩扬科技有限公司SIHG25N40D-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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SIHG25N40D-GE3Vishay半导体 MOSFET 400V 170mOhm@10V 25A N-Ch D-SRS FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥21.53
10+:¥17.31
100+:¥15.74
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Digi-Key 得捷电子
SIHG25N40D-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 25A TO247AC$3.88000
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Mouser 贸泽电子
SIHG25N40D-GE3Vishay半导体 MOSFET 400V 170mOhm@10V 25A N-Ch D-SRS FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥21.53
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Mouser 贸泽电子
SIHG25N40D-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-247AC1:¥28.6568
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RS(欧时)
SIHG25N40D-GE3Vishay半导体 MOSFET 400V 170mOhm@10V 25A N-Ch D-SRS FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥21.53
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10000+:¥12.4750+:¥40.54
250+:¥33.08
1000+:¥31.53
5000+:¥29.99