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SIHG25N50E-GE3 /MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
SIHG25N50E-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247AC-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:26 A

Rds On-漏源导通电阻:145 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:57 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:250 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:E

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:29 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:36 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:57 ns

典型接通延迟时间:19 ns

供应商SIHG25N50E-GE3
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集好芯城SIHG25N50E-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIHG25N50E-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市宇浩扬科技有限公司SIHG25N50E-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SIHG25N50E-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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深圳市惊羽科技有限公司SIHG25N50E-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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SIHG25N50E-GE3Vishay1+:¥28.22
25+:¥22.68
100+:¥20.66
250+:¥18.65
500+:¥16.7299
1000+:¥14.11
2500+:¥13.41
5000+:¥12.911+:¥22.53
10+:¥18.06
100+:¥16.48
250+:¥14.91
500+:¥14.91
1000+:¥14.23
2500+:¥13.6901
5000+:¥13.33
10000+:¥13500+:¥14.5401500+:¥1
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SIHG25N50E-GE3Vishay1+:¥28.22
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SIHG25N50E-GE3Vishay1+:¥28.22
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1000+:¥14.23
2500+:¥13.6901
5000+:¥13.33
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SIHG25N50E-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC1:¥32.8152
10:¥29.2783
100:¥23.9786
250:¥22.0576
500:¥19.436
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Mouser 贸泽电子
SIHG25N50E-GE3Vishay1+:¥28.22
25+:¥22.68
100+:¥20.66
250+:¥18.65
500+:¥16.7299
1000+:¥14.11
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10+:¥18.06
100+:¥16.48
250+:¥14.91
500+:¥14.91
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