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SIHG22N60E-E3 /MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
SIHG22N60E-E3的规格信息
SIHG22N60E-E3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247AC-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:21 A

Rds On-漏源导通电阻:180 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:57 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:227 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:E

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:35 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:27 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:66 ns

典型接通延迟时间:18 ns

单位重量:38 g

供应商SIHG22N60E-E3
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深圳市天卓伟业电子有限公司SIHG22N60E-E3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SIHG22N60E-E3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
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芯莱德电子(香港)有限公司SIHG22N60E-E3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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13352985419
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深圳市惊羽科技有限公司SIHG22N60E-E3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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SiHG22N60E-E3E Series Power MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO185.83 Kbytes共8页SiHG22N60E-E3的PDF下载地址
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SIHG22N60E-E3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
SIHG22N60E-E3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS1+:¥32.5801
25+:¥26.19
100+:¥23.86
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1000+:¥35.011+:¥17.35
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Digi-Key 得捷电子
SIHG22N60E-E3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS1+:¥32.5801
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Digi-Key 得捷电子
SIHG22N60E-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 21A TO247AC$4.66000
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Mouser 贸泽电子
SIHG22N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC1:¥34.4198
10:¥28.5099
100:¥23.4362
250:¥22.7469
500:¥20.3626
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SIHG22N60E-E3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS1+:¥32.5801
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RS(欧时)
SIHG22N60E-E3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS1+:¥32.5801
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5000+:¥15.36
10000+:¥15.0625+:¥44.92
250+:¥41.06
500+:¥37.4499
1000+:¥35.01