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SI7155DP-T1-GE3 /MOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SI7155DP-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:4.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:220 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:104 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:117 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:185 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:130 ns

典型接通延迟时间:55 ns

供应商SI7155DP-T1-GE3
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Mouser 贸泽电子
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10:¥13.221
100:¥10.2152
500:¥8.9948
3,000:¥6.9382
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