• 信息最全的元器件资料网
一键搜索元器件图片、规格参数、供应商、PDF资料、价格
当前位置：首页
SI7113DN-T1-GE3 /MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7113DN-T1-GE3的规格信息
SI7113DN-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:13.2 A

Rds On-漏源导通电阻:134 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:55 nC

最小工作温度:- 50 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI7

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:25 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:42 ns

典型接通延迟时间:11 ns

零件号别名:SI7113DN-GE3

供应商SI7113DN-T1-GE3
SI7113DN-T1-GE3的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SI7113DN-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI7113DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI7113DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市水星电子有限公司SI7113DN-T1-GE3地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560		李Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI7113DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
集好芯城SI7113DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SI7113DN-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI7113DN-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市德州众泰科技有限公司SI7113DN-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
13360063783		廖小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI7113DN-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI7113DN-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI7113DN-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI7113DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SI7113DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市兴中芯科技有限公司SI7113DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A6513113670037
13113670037		唐先生Email:chenglong@xzxic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI7113DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI7113DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI7113DN-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI7113DN-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市芯奕科技有限公司SI7113DN-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
SI7113DN-T1-GE3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SI7113DN-T1-GE3MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO540.75 Kbytes共13页SI7113DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7113DN-T1-GE3MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO537.76 Kbytes共13页SI7113DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7113DN-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13.2A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：134mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.7W 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO539.45 Kbytes共13页SI7113DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7113DN-T1-GE3100V 13.2A 52W 134mohm @ 10VSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO537.76 Kbytes共13页SI7113DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7113DN-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI7113DN-T1-GE3Siliconix / Vishay100V 13.2A 52W 134mohm @ 10V+3000:$1.37
+150000:$1.34
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI7113DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 13.2A 52W 134mohm @ 10V3000+:￥4.89
6000+:￥4.65
15000+:￥4.47
30000+:￥4.3301
75000+:￥4.191+:￥9.6901
10+:￥7.77
100+:￥5.97
500+:￥5.28
1000+:￥5.17
3000+:￥4.93
6000+:￥4.75
9000+:￥4.62
24000+:￥4.51993000+:￥5.01011+:￥5.36
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI7113DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 13.2A 52W 134mohm @ 10V3000+:￥4.89
6000+:￥4.65
15000+:￥4.47
30000+:￥4.3301
75000+:￥4.191+:￥9.6901
10+:￥7.77
100+:￥5.97
500+:￥5.28
1000+:￥5.17
3000+:￥4.93
6000+:￥4.75
9000+:￥4.62
24000+:￥4.51993000+:￥5.0101
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI7113DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 13.2A 52W 134mohm @ 10V3000+:￥4.89
6000+:￥4.65
15000+:￥4.47
30000+:￥4.3301
75000+:￥4.19
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI7113DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 13.2A 52W 134mohm @ 10V3000+:￥4.89
6000+:￥4.65
15000+:￥4.47
30000+:￥4.3301
75000+:￥4.191+:￥9.6901
10+:￥7.77
100+:￥5.97
500+:￥5.28
1000+:￥5.17
3000+:￥4.93
6000+:￥4.75
9000+:￥4.62
24000+:￥4.5199
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI7113DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-81:¥12.9046
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.0173
1,000:¥5.537
3,000:¥5.537
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SI7113DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 13.2A 52W 134mohm @ 10V3000+:￥4.89
6000+:￥4.65
15000+:￥4.47
30000+:￥4.3301
75000+:￥4.191+:￥9.6901
10+:￥7.77
100+:￥5.97
500+:￥5.28
1000+:￥5.17
3000+:￥4.93
6000+:￥4.75
9000+:￥4.62
24000+:￥4.51993000+:￥5.01011+:￥5.361+:￥5.48
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI7113DN-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13.2A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：134mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.7W 类型：P沟道1+:￥6.28
10+:￥4.61
30+:￥4.3
100+:￥3.99
500+:￥3.85
1000+:￥3.79
SI7113DN-T1-GE3的相关型号
加为收藏 粤ICP备16009799号