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SI7120DN-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI7120DN-T1-GE3的规格信息
SI7120DN-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：TrenchFET®

包装：剪切带（CT）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.3A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：45nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-

功率 - 最大值：1.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® 1212-8

供应商器件封装：PowerPAK® 1212-8

其它名称：SI7120DN-T1-GE3CT

供应商SI7120DN-T1-GE3
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