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SI7114DN-T1-E3 /
SI7114DN-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：11.7A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：19nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：7.5 毫欧 @ 18.3A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® 1212-8

封装形式Package：PowerPak1212-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：11.7A

漏源极导通电阻RDS(ON)：7.5mOhms

无铅情况/RoHs：否

供应商SI7114DN-T1-E3
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深圳市威雅利发展有限公司SI7114DN-T1-E3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI7114DN-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SI7114DN-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市华芯盛世科技有限公司SI7114DN-T1-E3深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312		朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
集好芯城SI7114DN-T1-E3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI7114DN-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市坤融电子有限公司SI7114DN-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
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集好芯城SI7114DN-T1-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市百域芯科技有限公司SI7114DN-T1-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市高捷芯城科技有限公司SI7114DN-T1-E3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
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13113670037		唐先生Email:chenglong@xzxic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI7114DN-T1-E3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI7114DN-T1-E3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI7114DN-T1-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市芯奕科技有限公司SI7114DN-T1-E3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
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深圳市骏凯诚科技有限公司SI7114DN-T1-E3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI7114DN-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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SI7114DN-T1-E3MOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10VVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO104.11 Kbytes共6页SI7114DN-T1-E3的PDF下载地址无
SI7114DN-T1-E3MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO527.80 Kbytes共12页SI7114DN-T1-E3的PDF下载地址无
SI7114DN-T1-E3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11.7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 18.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO527.29 Kbytes共12页SI7114DN-T1-E3的PDF下载地址无
SI7114DN-T1-E3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI7114DN-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V3000+:￥4.27
6000+:￥4.06
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10+:￥7.94
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI7114DN-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8$1.77000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI7114DN-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V3000+:￥4.27
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SI7114DN-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V3000+:￥4.27
6000+:￥4.06
15000+:￥3.9
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI7114DN-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V3000+:￥4.27
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI7114DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V1:¥14.5205
10:¥12.0684
100:¥9.379
500:¥8.2264
3,000:¥8.2264
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SI7114DN-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V3000+:￥4.27
6000+:￥4.06
15000+:￥3.9
30000+:￥3.78
75000+:￥3.661+:￥9.8601
10+:￥7.94
100+:￥6.38
500+:￥6.38
1000+:￥5.92
3000+:￥5.44
6000+:￥5.38
9000+:￥5.1801
24000+:￥5.153000+:￥6.341+:￥7.52011+:￥6.91
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI7114DN-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11.7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 18.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道1+:￥11.97
10+:￥11.65
30+:￥11.43
100+:￥11.22
SI7114DN-T1-E3的相关型号
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