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SI7120DN-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI7120DN-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:剪切带(CT)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.3A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:1.5W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® 1212-8

供应商器件封装:PowerPAK® 1212-8

其它名称:SI7120DN-T1-E3CT

供应商SI7120DN-T1-E3
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SI7120DN-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 10A 0.019Ohm1+:¥11.76
10+:¥9.5201
100+:¥8.61
250+:¥7.59
500+:¥7.59
1000+:¥7.08
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10+:¥9.5201
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