系列：TrenchFET®

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.8A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：25nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：666pF @ 50V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），52W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：1.05 欧姆 @ 1A，10V

工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® 1212-8

封装形式Package：PowerPak1212-8

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：200V

连续漏极电流ID：1.2A

漏源极导通电阻RDS(ON)：1.05Ohms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs