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SI7117DN-T1-GE3 /MOSFET
SI7117DN-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:SI

零件号别名:SI7117DN-GE3

商标名:TrenchFET

FET类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.17A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):12nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):510pF @ 25V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):3.2W(Ta),12.5W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):1.2 欧姆 @ 500mA,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK®1212-8

封装形式Package:PowerPak1212-8

极性Polarity:P-CH

漏源极击穿电压VDSS:150V

连续漏极电流ID:1.1A

漏源极导通电阻RDS(ON):1.2Ohms

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SI7117DN-T1-GE3
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深圳市坤融电子有限公司SI7117DN-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI7117DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI7117DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
集好芯城SI7117DN-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI7117DN-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
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13352985419,19076157484
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13352985419
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深圳市德州众泰科技有限公司SI7117DN-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
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13725570869
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI7117DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市芯泽盛世科技有限公司SI7117DN-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI7117DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
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深圳诚思涵科技有限公司SI7117DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市芯奕科技有限公司SI7117DN-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司SI7117DN-T1-GE3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995
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深圳市斌腾达科技有限公司SI7117DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
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上海三崧电子有限公司SI7117DN-T1-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市星宇佳科技有限公司SI7117DN-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI7117DN-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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SI7117DN-T1-GE3P-Channel 150 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO561.31 Kbytes共13页SI7117DN-T1-GE3的PDF下载地址
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Allied Electronics
SI7117DN-T1-GE3Siliconix / VishaySI7117DN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 1.7 A; 150 V; 8-Pin PowerPAK 1212+300:$1.09
+600:$0.93
+1500:$0.89
+3000:$0.83
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SI7117DN-T1-GE3Vishay SiliconixTrans MOSFET P-CH 150V 1.1An3,000 : $0.66
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Arrow(艾睿)
SI7117DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.871+:¥7.25
10+:¥5.8
100+:¥4.47
500+:¥3.95
1000+:¥3.87
3000+:¥3.6899
6000+:¥3.55
9000+:¥3.46
24000+:¥3.34993000+:¥1.751+:¥4.0101
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SI7117DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsP-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET3,000 : $0.53
12,000 : $0.4819
27,000 : $0.4417
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
SI7117DN-T1-GE3Vishay SiliconixP-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.5158
14,999 : $0.5072
29,999 : $0.4954
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Digi-Key 得捷电子
SI7117DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK$1.38000
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Digi-Key 得捷电子
SI7117DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.87
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI7117DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-83,000 : $0.532
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Future Electronics
SI7117DN-T1-GE3Vishay Intertechnologies-150V,2.17A,1200Mohm RdsOn@10V,7.7nCQg,PPAK 1212-8
RoHS : Compliant
3,000 : $0.4667
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Future(富昌)
SI7117DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.871+:¥7.25
10+:¥5.8
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500+:¥3.95
1000+:¥3.87
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6000+:¥3.55
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24000+:¥3.34993000+:¥1.75
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Mouser 贸泽电子
SI7117DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-81:¥10.2152
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
3,000:¥4.3844
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Mouser 贸泽电子
SI7117DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.871+:¥7.25
10+:¥5.8
100+:¥4.47
500+:¥3.95
1000+:¥3.87
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9000+:¥3.46
24000+:¥3.3499
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SI7117DN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 1.1A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R$0.5972