制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:3.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:167 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:104 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

系列:SI7

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:95 S

下降时间:30 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:110 ns

典型接通延迟时间:25 ns

零件号别名:SI7135DP-GE3

单位重量:506.600 mg