• 信息最全的元器件资料网
一键搜索元器件图片、规格参数、供应商、PDF资料、价格
当前位置：首页
SI7139DP-T1-GE3 /MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SI7139DP-T1-GE3的规格信息
SI7139DP-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:5.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:97 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:48 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

系列:SI7

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:54 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:56 ns

典型接通延迟时间:17 ns

零件号别名:SI7139DP-GE3

单位重量:506.600 mg

供应商SI7139DP-T1-GE3
SI7139DP-T1-GE3的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
深圳市芯幂科技有限公司SI7139DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI7139DP-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI7139DP-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI7139DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI7139DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
集好芯城SI7139DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SI7139DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI7139DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI7139DP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI7139DP-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI7139DP-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI7139DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳诚思涵科技有限公司Si7139DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI7139DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI7139DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si7139DP-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI7139DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI7139DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
上海三崧电子有限公司SI7139DP-T1-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344		樊勉Email:420014373@qq.com询价
万三科技（深圳）有限公司SI7139DP-T1-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-21006672
18188642307		王小康skype:18188642307Email:leo@wansan.net.cn询价
SI7139DP-T1-GE3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SI7139DP-T1-GE3MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO387.4 Kbytes共13页SI7139DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7139DP-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO384.21 Kbytes共13页SI7139DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7139DP-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO385.93 Kbytes共13页SI7139DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SI7139DP-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI7139DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 40A P-CH MOSFET1+:￥11.7099
10+:￥10.3501
25+:￥9.34
100+:￥8.17
250+:￥7.17
500+:￥6.36
1000+:￥5.0299
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI7139DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 40A P-CH MOSFET1+:￥11.7099
10+:￥10.3501
25+:￥9.34
100+:￥8.17
250+:￥7.17
500+:￥6.36
1000+:￥5.02991+:￥9.0299
10+:￥7.19
100+:￥5.56
500+:￥4.91
1000+:￥4.8
3000+:￥4.59
6000+:￥4.41
9000+:￥4.3
24000+:￥4.21
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI7139DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-81:¥13.9894
10:¥12.3735
100:¥9.831
500:¥7.684
1,000:¥6.1698
3,000:¥5.7517
元器件资料网-Tti的LOGO
Tti		SI7139DP-T1-GE3Vishay Intertechnologies1+:￥11.7099
10+:￥10.3501
25+:￥9.34
100+:￥8.17
250+:￥7.17
500+:￥6.36
1000+:￥5.02991+:￥9.0299
10+:￥7.19
100+:￥5.56
500+:￥4.91
1000+:￥4.8
3000+:￥4.59
6000+:￥4.41
9000+:￥4.3
24000+:￥
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI7139DP-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：P沟道1+:￥15.8
10+:￥11.64
30+:￥10.88
100+:￥10.11
500+:￥9.77
1000+:￥9.61
SI7139DP-T1-GE3的相关型号
加为收藏 粤ICP备16009799号