销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Allied Electronics | SI4966DY-T1-E3 | Siliconix / Vishay | MOSFET, Power,Dual N-Ch,VDSS 20V,RDS(ON) 0.019Ohm,ID+/-7.1A,SO-8,PD 2W,VGS+/-12V | +2500:$1.49 +125000:$1.48 |
 Am2 | SI4966DY-T1-E3 | Vishay | FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 | 2500+:¥5.64 5000+:¥5.44 12500+:¥5.23 25000+:¥5.15 62500+:¥5.022500+:¥6.112500+:¥5.791+:¥7.05 |
 Digi-Key 得捷电子 | SI4966DY-T1-E3 | Vishay | FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 | 2500+:¥5.64 5000+:¥5.44 12500+:¥5.23 25000+:¥5.15 62500+:¥5.02 |
 Future(富昌) | SI4966DY-T1-E3 | Vishay | FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 | 2500+:¥5.64 5000+:¥5.44 12500+:¥5.23 25000+:¥5.15 62500+:¥5.022500+:¥6.112500+:¥5.79 |
 Mouser 贸泽电子 | SI4966DY-T1-E3 | Vishay | FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 | 2500+:¥5.64 5000+:¥5.44 12500+:¥5.23 25000+:¥5.15 62500+:¥5.022500+:¥6.11 |
 Verical | SI4966DY-T1-E3 | Vishay | FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 | 2500+:¥5.64 5000+:¥5.44 12500+:¥5.23 25000+:¥5.15 62500+:¥5.022500+:¥6.112500+:¥5.791+:¥7.051+:¥6.19 |
 立创商城 | SI4966DY-T1-E3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):- 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 7.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 | 1+:¥12.41 10+:¥12.09 30+:¥11.88 100+:¥11.66
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