| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Allied Electronics | SI4966DY-T1-E3 | Siliconix / Vishay | MOSFET, Power,Dual N-Ch,VDSS 20V,RDS(ON) 0.019Ohm,ID+/-7.1A,SO-8,PD 2W,VGS+/-12V | +2500:$1.49
+125000:$1.48 |
Am2 | SI4966DY-T1-E3 | Vishay | FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 | 2500+:￥5.64
5000+:￥5.44
12500+:￥5.23
25000+:￥5.15
62500+:￥5.022500+:￥6.112500+:￥5.791+:￥7.05 |
Arrow(艾睿) | SI4966DY-T1-GE3 | Vishay | FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 | 2500+:￥6.881+:￥12.59
10+:￥10.19
100+:￥8.12
500+:￥8.08
1000+:￥7.5399
2500+:￥6.92
5000+:￥6.85
10000+:￥6.59
25000+:￥6.551+:￥7.05 |
Bristol Electronics | SI4966DY | Vishay Siliconix | | 价格未公开 |
Digi-Key 得捷电子 | SI4966DY-T1-E3 | Vishay | FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 | 2500+:￥5.64
5000+:￥5.44
12500+:￥5.23
25000+:￥5.15
62500+:￥5.02 |
Digi-Key 得捷电子 | SI4966DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC | Obsolete |
Digi-Key 得捷电子 | SI4966DY-T1-GE3 | Vishay | FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 | 2500+:￥6.88 |
Future(富昌) | SI4966DY-T1-E3 | Vishay | FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 | 2500+:￥5.64
5000+:￥5.44
12500+:￥5.23
25000+:￥5.15
62500+:￥5.022500+:￥6.112500+:￥5.79 |
Mouser 贸泽电子 | SI4966DY-T1-E3 | Vishay | FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 | 2500+:￥5.64
5000+:￥5.44
12500+:￥5.23
25000+:￥5.15
62500+:￥5.022500+:￥6.11 |
Mouser 贸泽电子 | SI4966DY-T1-GE3 | Vishay | FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 | 2500+:￥6.881+:￥12.59
10+:￥10.19
100+:￥8.12
500+:￥8.08
1000+:￥7.5399
2500+:￥6.92
5000+:￥6.85
10000+:￥6.59
25000+:￥6.55 |
Verical | SI4966DY-T1-E3 | Vishay | FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 | 2500+:￥5.64
5000+:￥5.44
12500+:￥5.23
25000+:￥5.15
62500+:￥5.022500+:￥6.112500+:￥5.791+:￥7.051+:￥6.19 |
立创商城 | SI4966DY-T1-E3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：- 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 7.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道 | 1+:￥12.41
10+:￥12.09
30+:￥11.88
100+:￥11.66
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