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SI4965DY / MOSFET 8V 8A 2W
SI4965DY的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:8 A

Vds-漏源极击穿电压:- 8 V

Rds On-漏源导通电阻:21 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :8 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Dual

下降时间:90 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:45 ns

工厂包装数量:100

典型关闭延迟时间:170 ns

典型接通延迟时间:35 ns

供应商SI4965DY
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI4965DY-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SI4965DY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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SI4965DYDual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO62.47 Kbytes共4页SI4965DY的PDF下载地址SI6969DQ,SI1905DL,SI6973DQ,SI6967DQ,SI5915DC,SI5933DC,SI5905DC,SI1907DL,SI4967DY,SI6969BDQ
SI4965DY-T1Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO62.47 Kbytes共4页SI4965DY-T1的PDF下载地址SI6969DQ,SI1905DL,SI6973DQ,SI6967DQ,SI5915DC,SI5933DC,SI5905DC,SI1907DL,SI4967DY,SI6969BDQ
SI4965DY-T1-E3MOSFET 2P-CH 8V 8SOICVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO99.78 Kbytes共5页SI4965DY-T1-E3的PDF下载地址
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SI4965DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 8V 8SOICObsolete
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SI4965DY-T1-E3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥8.4
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