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SI4931DY-T1-GE3 /MOSFET -12V Vds 8V Vgs SO-8
SI4931DY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:8.9 A

Rds On-漏源导通电阻:18 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:52 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

系列:SI4

晶体管类型:2 P-Channel

宽度:3.9 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:26 S

下降时间:155 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:46 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:230 ns

典型接通延迟时间:25 ns

零件号别名:SI4931DY-GE3

单位重量:187 mg

供应商SI4931DY-T1-GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI4931DY-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4931DY-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI4931DY-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
上海三崧电子有限公司SI4931DY-T1-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344
樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI4931DY-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SI4931DY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI4931DY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI4931DY-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si4931DY-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128
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深圳市星宇佳科技有限公司SI4931DY-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905
谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI4931DY-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905
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深圳市科思奇电子科技有限公司SI4931DY-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
集好芯城SI4931DY-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI4931DY-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SI4931DY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI4931DY-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI4931DY-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市水星电子有限公司SI4931DY-T1-GE3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560
Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI4931DY-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SI4931DY-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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SI4931DY-T1-GE3MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOICVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO602.67 Kbytes共8页SI4931DY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4931DY-T1-GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.7A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 350uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 8.9A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.1W 类型:双P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO604.36 Kbytes共8页SI4931DY-T1-GE3的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
SI4931DY-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品2500+:¥2.68
5000+:¥2.54
12500+:¥2.44
25000+:¥2.38
62500+:¥2.31+:¥7.48
10+:¥5.97
100+:¥4.63
500+:¥4.09
1000+:¥3.9901
2500+:¥3.81
5000+:¥3.6701
10000+:¥3.58
25000+:¥3.461+:¥4.15
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Digi-Key 得捷电子
SI4931DY-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品2500+:¥2.68
5000+:¥2.54
12500+:¥2.44
25000+:¥2.38
62500+:¥2.3
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Mouser 贸泽电子
SI4931DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -12V Vds 8V Vgs SO-81:¥11.0627
10:¥9.0626
2,500:¥9.0626
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI4931DY-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品2500+:¥2.68
5000+:¥2.54
12500+:¥2.44
25000+:¥2.38
62500+:¥2.31+:¥7.48
10+:¥5.97
100+:¥4.63
500+:¥4.09
1000+:¥3.9901
2500+:¥3.81
5000+:¥3.6701
10000+:¥3.58
25000+:¥3.46
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立创商城
SI4931DY-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.7A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 350uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 8.9A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.1W 类型:双P沟道1+:¥9.82
10+:¥7.24
30+:¥6.76
100+:¥6.29
500+:¥6.07
1000+:¥5.97