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SI4925DDY-T1-GE3 /MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
SI4925DDY-T1-GE3的规格信息
SI4925DDY-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:29 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:32 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

系列:SI4

晶体管类型:2 P-Channel

宽度:3.9 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:23 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:SI4925DDY-GE3

单位重量:187 mg

供应商SI4925DDY-T1-GE3
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深圳市威雅利发展有限公司SI4925DDY-T1-GE3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4925DDY-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SI4925DDY-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI4925DDY-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
上海三崧电子有限公司SI4925DDY-T1-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344		樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI4925DDY-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI4925DDY-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI4925DDY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI4925DDY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI4925DDY-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si4925DDY-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI4925DDY-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI4925DDY-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
集好芯城SI4925DDY-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI4925DDY-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI4925DDY-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城SI4925DDY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI4925DDY-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI4925DDY-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI4925DDY-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
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SI4925DDY-T1-GE3MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO174.11 Kbytes共9页SI4925DDY-T1-GE3的PDF下载地址无
SI4925DDY-T1-GE3MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOICVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO171.32 Kbytes共9页SI4925DDY-T1-GE3的PDF下载地址无
SI4925DDY-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：29mΩ @ 7.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：双P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO170.84 Kbytes共9页SI4925DDY-T1-GE3的PDF下载地址无
SI4925DDY-T1-GE3SI4925DDY-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 8 A, 30 V, 8-Pin SOICSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO171.32 Kbytes共9页SI4925DDY-T1-GE3的PDF下载地址无
SI4925DDY-T1-GE3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI4925DDY-T1-GE3Siliconix / VishaySI4925DDY-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC+2500:$0.82
+5000:$0.77
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI4925DDY-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 8.0A 5.0W 29mohm @ 10V2500+:￥2.56
5000+:￥2.42
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5000+:￥2.8201
10000+:￥2.75
25000+:￥2.662500+:￥2.03
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI4925DDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC$1.03000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI4925DDY-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 8.0A 5.0W 29mohm @ 10V2500+:￥2.56
5000+:￥2.42
12500+:￥2.34
25000+:￥2.26
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元器件资料网-Element_sh的LOGO
Element_sh		SI4925DDY-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 8.0A 5.0W 29mohm @ 10V2500+:￥2.56
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SI4925DDY-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 8.0A 5.0W 29mohm @ 10V2500+:￥2.56
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI4925DDY-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 8.0A 5.0W 29mohm @ 10V2500+:￥2.56
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5000+:￥2.8201
10000+:￥2.75
25000+:￥2.66
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI4925DDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-81:¥7.684
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.1697
1,000:¥3.2883
2,500:¥3.2883
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SI4925DDY-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 8.0A 5.0W 29mohm @ 10V2500+:￥2.56
5000+:￥2.42
12500+:￥2.34
25000+:￥2.26
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10+:￥6.81
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立创商城		SI4925DDY-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：29mΩ @ 7.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：双P沟道1+:￥3.68
10+:￥2.72
30+:￥2.55
100+:￥2.37
500+:￥2.3
1000+:￥2.26
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