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SI4559EY /N-Channel 60-V (D-S), 175∑C MOSFET
SI4559EY的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

晶体管极性N and P-Channel

汲极/源极击穿电压60 V

闸/源击穿电压+/- 20 V

漏极连续电流4.5 A, 3.1 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）55 mOhms, 120 mOhms

配置Dual

最大工作温度+ 175 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体SOIC-8 Narrow

下降时间11 ns, 35 ns

最小工作温度- 55 C

功率耗散2.4 W

上升时间11 ns, 10 ns

工厂包装数量100

典型关闭延迟时间36 ns, 12 ns

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深圳市芯幂科技有限公司SI4559EY-T1-E3-VB深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SI4559EY-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市坤融电子有限公司Si4559EY-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
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SI4559EYN-Channel 60-V (D-S), 175°C MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO84.11 Kbytes共6页SI4559EY的PDF下载地址SI9945AEY,SUD50N06-09L,SUM75N06-09L,SI1022R,SI3458DV,SI7220DN,SUM60N06-15,SI7370DP,SUD23N06-31L,SUD50N06-16
SI4559EY-T1-E3N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1184.86 Kbytes共14页SI4559EY-T1-E3的PDF下载地址无
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立创商城		SI4559EYVBsemi(台湾微碧)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.3A(Tc),4.9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W,3.4W(Tc) 类型：N沟道和P沟道1+:￥1.6771
10+:￥1.2393
30+:￥1.1588
100+:￥0.97056
500+:￥0.93843
1000+:￥0.9225
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