制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:5.3 A, 3.9 A

Rds On-漏源导通电阻:58 mOhms, 120 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:20 nC, 22 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W, 3.4 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI4

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:15 S, 8.5 S

下降时间:10 ns, 30 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:65 ns, 70 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns, 40 ns

典型接通延迟时间:15 ns, 30 ns

零件号别名:SI4559ADY-E3

单位重量:506.600 mg