KIA4N65HU
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):58W(Tc) 类型:N沟道
KIA4N65HU的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻3Ω @ 1.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)58W(Tc)
类型N沟道
KIA4N65HU
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KIA4N65HU | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):58W(Tc) 类型:N沟道 | KIA 半导体 |  | 234.18 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
KIA4N65HU的全球分销商及价格
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 立创商城 | KIA4N65HU | KIA 半导体 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):58W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.2092 10+:¥0.8943 30+:¥0.8365 100+:¥0.7787 500+:¥0.753 1000+:¥0.7403
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