KIA4603AE
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道
KIA4603AE的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）7A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻18mΩ @ 7A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.5W
类型N沟道
KIA4603AE
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| KIA4603AE | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道 | KIA 半导体 |  | 195.11 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
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立创商城 | KIA4603AE | KIA 半导体 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道 | 10+:￥0.420774
100+:￥0.320814
300+:￥0.302454
1000+:￥0.284094
5000+:￥0.275934
10000+:￥0.271902
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