KIA3510AP
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：166W(Tc) 类型：N沟道
KIA3510AP的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）75A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻11mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）166W(Tc)
类型N沟道
KIA3510AP
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| KIA3510AP | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：166W(Tc) 类型：N沟道 | KIA 半导体 |  | 290.66 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
KIA3510AP的全球分销商及价格
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立创商城 | KIA3510AP | KIA 半导体 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：166W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥2.68
10+:￥1.98
30+:￥1.85
100+:￥1.72
500+:￥1.66
1000+:￥1.64
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