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KIA3510AP /连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W(Tc) 类型:N沟道
KIA3510AP的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)75A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻11mΩ @ 50A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)166W(Tc)

类型N沟道

供应商KIA3510AP
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KIA3510AP连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W(Tc) 类型:N沟道KIA 半导体KIA 半导体的LOGO290.66 Kbytes共6页KIA3510AP的PDF下载地址
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KIA3510APKIA 半导体连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.68
10+:¥1.98
30+:¥1.85
100+:¥1.72
500+:¥1.66
1000+:¥1.64