KIA4N60HI
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):93W(Tc) 类型:N沟道
KIA4N60HI的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.7Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)93W(Tc)
类型N沟道
KIA4N60HI
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KIA4N60HI | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):93W(Tc) 类型:N沟道 | KIA 半导体 |  | 315.75 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
KIA4N60HI的全球分销商及价格
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 立创商城 | KIA4N60HI | KIA 半导体 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):93W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥0.97158 10+:¥0.7257 30+:¥0.68052 100+:¥0.63534 500+:¥0.6153 1000+:¥0.60534
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