KIA3414
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道
KIA3414的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.2A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻50mΩ @ 4.2A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.4W
类型N沟道
KIA3414
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KIA3414 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 | KIA 半导体 |  | 107.39 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | KIA3414 | KIA 半导体 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 | 10+:¥0.323073 100+:¥0.238107 300+:¥0.222501 1000+:¥0.206895 5000+:¥0.199959 10000+:¥0.196532
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