KIA3415
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道
KIA3415的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A
栅源极阈值电压800mV @ 250uA
漏源导通电阻45mΩ @ 4A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.4W
类型P沟道
KIA3415
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KIA3415 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 | KIA 半导体 |  | 110.10 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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