KIA3407
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道
KIA3407的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4.1A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻60mΩ @ 4.1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.4W
类型P沟道
KIA3407
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| KIA3407 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道 | KIA 半导体 |  | 103.75 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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立创商城 | KIA3407 | KIA 半导体 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道 | 10+:￥0.37351
100+:￥0.283509
300+:￥0.266978
1000+:￥0.250447
5000+:￥0.2431
10000+:￥0.23947
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