KIA4706AE
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道
KIA4706AE的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）8A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻12mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.5W
类型N沟道
KIA4706AE
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| KIA4706AE | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道 | KIA 半导体 |  | 223.18 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
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立创商城 | KIA4706AE | KIA 半导体 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道 | 1+:￥1.2087
10+:￥0.9088
30+:￥0.8537
100+:￥0.7987
500+:￥0.7742
1000+:￥0.7621
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