KIA4N60P
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：93W(Tc) 类型：N沟道
KIA4N60P的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.7Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）93W(Tc)
类型N沟道
KIA4N60P
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| KIA4N60P | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：93W(Tc) 类型：N沟道 | KIA 半导体 |  | 316.35 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
KIA4N60P的全球分销商及价格
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立创商城 | KIA4N60P | KIA 半导体 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：93W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥1.0398
10+:￥0.7899
30+:￥0.744
100+:￥0.6981
500+:￥0.6777
1000+:￥0.6676
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