HY1904D
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：72A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 36A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62.5W 类型：N沟道
HY1904D的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）72A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻6mΩ @ 36A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）62.5W
类型N沟道
HY1904D
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| HY1904D | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.] | ![HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]的LOGO](/PdfSupLogo/1210HUAYI.GIF) | 1238.73 Kbytes | 共11页 |  | 无 |
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立创商城 | HY1904D | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：72A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 36A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62.5W 类型：N沟道 | 1+:￥1.2476
10+:￥0.9377
30+:￥0.8808
100+:￥0.8238
500+:￥0.7985
1000+:￥0.786
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