HY1904C2
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):65A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道
HY1904C2的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)65A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻6mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)48W(Tc)
类型N沟道
HY1904C2
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HY1904C2 | Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.] | ![HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]的LOGO](/PdfSupLogo/1210HUAYI.GIF) | 1091.71 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
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 立创商城 | HY1904C2 | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):65A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.2334 10+:¥0.936 30+:¥0.8814 100+:¥0.8268 500+:¥0.8025 1000+:¥0.7905
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