HY1106S
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W(Tc) 类型：N沟道
HY1106S的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）11A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻15mΩ @ 11A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）3.5W(Tc)
类型N沟道
HY1106S
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| HY1106S | Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.] | ![HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]的LOGO](/PdfSupLogo/1210HUAYI.GIF) | 569.38 Kbytes | 共11页 |  | 无 |
HY1106S的全球分销商及价格
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立创商城 | HY1106S | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥1.325
10+:￥1.0602
30+:￥1.0115
100+:￥0.9628
500+:￥0.9412
1000+:￥0.9305
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