HY1804P
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道
HY1804P的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）110A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻4.5mΩ @ 55A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）125W(Tc)
类型N沟道
HY1804P
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| HY1804P | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.] | ![HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]的LOGO](/PdfSupLogo/1210HUAYI.GIF) | 916.81 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
HY1804P的全球分销商及价格
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立创商城 | HY1804P | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥1.8849
10+:￥1.4126
30+:￥1.3259
100+:￥1.2391
500+:￥1.2006
1000+:￥1.1815
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