HY1803C2
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52W(Tc) 类型:N沟道
HY1803C2的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻3mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)52W(Tc)
类型N沟道
HY1803C2
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HY1803C2 | Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.] | ![HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]的LOGO](/PdfSupLogo/1210HUAYI.GIF) | 1654.6 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
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