HY1103S
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：N沟道
HY1103S的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）11A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻11mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W(Tc)
类型N沟道
HY1103S
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| HY1103S | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.] | ![HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]的LOGO](/PdfSupLogo/1210HUAYI.GIF) | 988.19 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
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立创商城 | HY1103S | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：N沟道 | 5+:￥0.456519
50+:￥0.341565
150+:￥0.320451
500+:￥0.299337
2500+:￥0.289953
5000+:￥0.285317
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