HY1606D
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：66A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12.5mΩ @ 33A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：64W(Tc) 类型：N沟道
HY1606D的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）66A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻12.5mΩ @ 33A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）64W(Tc)
类型N沟道
HY1606D
HY1606D及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| HY1606D | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.] | ![HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]的LOGO](/PdfSupLogo/1210HUAYI.GIF) | 963.03 Kbytes | 共12页 |  | 无 |
HY1606D的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | HY1606D | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：66A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12.5mΩ @ 33A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：64W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥1.2776
10+:￥0.9177
30+:￥0.8516
100+:￥0.7855
500+:￥0.7562
1000+:￥0.7417
|