HY1603P
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):62A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.5mΩ @ 31A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):36W(Tc) 类型:N沟道
HY1603P的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)62A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻5.5mΩ @ 31A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)36W(Tc)
类型N沟道
HY1603P
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HY1603P | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.] | ![HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]的LOGO](/PdfSupLogo/1210HUAYI.GIF) | 2367.3 Kbytes | 共12页 |  | 无 |
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 立创商城 | HY1603P | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):62A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.5mΩ @ 31A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):36W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.9057 10+:¥1.4158 30+:¥1.3258 100+:¥1.2359 500+:¥1.1959 1000+:¥1.1761
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