HY1606B
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):66A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:12.5mΩ @ 33A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):88W(Tc) 类型:N沟道
HY1606B的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)66A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻12.5mΩ @ 33A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)88W(Tc)
类型N沟道
HY1606B
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HY1606B | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.] | ![HUAYI[HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.]的LOGO](/PdfSupLogo/1210HUAYI.GIF) | 633.67 Kbytes | 共11页 |  | 无 |
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