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FDN8601 /MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDN8601的规格信息
FDN8601的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SSOT-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:2.7 A

Rds On-漏源导通电阻:85.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:3 nC

Pd-功率耗散:1.5 W

配置:Single

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.12 mm

长度:2.9 mm

系列:FDN8601

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.4 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:8 S

下降时间:3.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:1.3 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

单位重量:30 mg

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FDN8601的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FDN8601Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET3000+:￥2.56
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ChipOneStop		FDN8601Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET3000+:￥2.56
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDN8601Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET3000+:￥2.56
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDN8601ON SemiconductorMOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3$1.04000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDN8601Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET3000+:￥2.56
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Mouser 贸泽电子		FDN8601ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET1:¥6.3054
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		FDN8601Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET3000+:￥2.56
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