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FDN5632N-F085 /MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
FDN5632N-F085的规格信息
FDN5632N-F085的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SSOT-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:1.6 A

Rds On-漏源导通电阻:98 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:UltraFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.12 mm

长度:2.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:FDN5632N_F085

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Power Trench MOSFET

宽度:1.4 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:1.3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:1.7 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:5.2 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:FDN5632N_F085

单位重量:30 mg

供应商FDN5632N-F085
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现代芯城（深圳）科技有限公司FDN5632N-F085www.nowchip.com0755-27381274
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FDN5632N-F085的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子		FDN5632N-F085ON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3$0.65000
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Mouser 贸泽电子		FDN5632N-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A1:¥4.5313
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