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FDN359BN /MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDN359BN的规格信息
FDN359BN的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SSOT-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:2.7 A

Rds On-漏源导通电阻:46 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.12 mm

长度:2.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:FDN359BN

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.4 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:7 ns

单位重量:30 mg

供应商FDN359BN
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现代芯城(深圳)科技有限公司FDN359BNwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDN359BN深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司FDN359BN深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司FDN359BN深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司FDN359BN航都大厦10I0755-23990975
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深圳市星宇佳科技有限公司FDN359BN深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FDN359BN深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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芯莱德电子(香港)有限公司FDN359BN深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市高捷芯城科技有限公司FDN359BN深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市河锋鑫科技有限公司FDN359BN华强北现代之窗A 9D0755-23903154
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深圳市安富世纪电子有限公司FDN359BN深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市高捷半导体有限公司FDN359BN深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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深圳市辰芯伟业科技有限公司FDN359BN华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市斌腾达科技有限公司FDN359BN深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市毅创腾电子科技有限公司FDN359BN深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市橙椒科技有限公司FDN359BN深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1016号宝华大厦A座、B座B座51113418830030,13418730030
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FDN359BN的全球分销商及价格
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FDN359BNFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V NCh; PowerTrench AU Wire Parts1+:¥3.29
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100+:¥1.77
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24000+:¥0.66
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Arrow(艾睿)
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FDN359BNON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3$0.53000
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FDN359BN_F095Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V NCh; PowerTrench AU Wire Parts1+:¥3.29
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
FDN359BNON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
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Mouser 贸泽电子
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Verical
FDN359BNFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V NCh; PowerTrench AU Wire Parts1+:¥3.29
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FDN359BNON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.7A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:46mΩ @ 2.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道1+:¥1.0107
10+:¥0.7798
30+:¥0.7374
100+:¥0.695
500+:¥0.6762
1000+:¥0.6669