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FDN358P /MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
FDN358P的规格信息
FDN358P的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SSOT-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:1.5 A

Rds On-漏源导通电阻:125 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.12 mm

长度:2.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:FDN358P

晶体管类型:1 P-Channel

类型:MOSFET

宽度:1.4 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:3.5 S

下降时间:13 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns

典型接通延迟时间:5 ns

零件号别名:FDN358P_NL

单位重量:30 mg

供应商FDN358P
FDN358P的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
深圳市维基鸿电子有限公司FDN358P赛格科技园2栋100813148740189/ 19520735817/13632918917
13590238352，13058174971, 18123793983, 13148740189, 13632918917		文小姐，米小姐，朱小姐Email:1076822082@QQ.COM询价
深圳市芯幂科技有限公司FDN358P深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司FDN358Pwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市微碧半导体有限公司FDN358P-NL-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市万政电子有限公司FDN358P深圳市宝安西乡兴业路互联网创意园C栋20618948794636
18948794636		欧阳先生Email:3146805220@qq.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司FDN358P深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司FDN358P深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司FDN358P航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司FDN358P深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FDN358P深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司FDN358P华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司FDN358P深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市高捷半导体有限公司FDN358P深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司FDN358P深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司FDN358P深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市辰芯伟业科技有限公司FDN358P华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市斌腾达科技有限公司FDN358P深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市大源实业科技有限公司FDN358P深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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FDN358P及相关型号的PDF资料
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FDN358PP-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO85.26 Kbytes共4页FDN358P的PDF下载地址P06P03LVG,FDR856P,NDS332P,FDC636P,NDC632P,NDS336P,NDC652P,P06B03LV,NDS352AP,NDP6020P
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FDN358P的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2		FDN358PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -30V3000+:￥1.08
6000+:￥1.0099
15000+:￥0.94
30000+:￥0.86
75000+:￥0.83
150000+:￥0.811+:￥3.42
10+:￥2.29
100+:￥1.28
1000+:￥0.96
3000+:￥0.96
9000+:￥0.96
24000+:￥0.88
45000+:￥0.861+:￥3.68
10+:￥2.46
100+:￥1.37
1000+:￥1.03
3000+:￥0.86
9000+:￥0.8
24000+:￥0.74
45000+:￥0.723000+:￥0.533000+:￥0.86
6000+:￥0.81
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元器件资料网-Avnet的LOGO
Avnet		FDN358PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -30V3000+:￥1.08
6000+:￥1.0099
15000+:￥0.94
30000+:￥0.86
75000+:￥0.83
150000+:￥0.811+:￥3.42
10+:￥2.29
100+:￥1.28
1000+:￥0.96
3000+:￥0.96
9000+:￥0.96
24000+:￥0.88
45000+:￥0.861+:￥3.68
10+:￥2.46
100+:￥1.37
1000+:￥1.03
3000+:￥0.86
9000+:￥0.8
24000+:￥0.74
45000+:￥0.723000+:￥0.533000+:￥0.86
6000+:￥0.81
9000+:￥0.79490+:￥0.861+:￥4.09
10+:￥2.74
100+:￥1.51993000+:￥0.81
6000+:￥0.6899
12000+:￥0.59
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		FDN358PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -30V3000+:￥1.08
6000+:￥1.0099
15000+:￥0.94
30000+:￥0.86
75000+:￥0.83
150000+:￥0.811+:￥3.42
10+:￥2.29
100+:￥1.28
1000+:￥0.96
3000+:￥0.96
9000+:￥0.96
24000+:￥0.88
45000+:￥0.861+:￥3.68
10+:￥2.46
100+:￥1.37
1000+:￥1.03
3000+:￥0.86
9000+:￥0.8
24000+:￥0.74
45000+:￥0.723000+:￥0.53
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDN358PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -30V3000+:￥1.08
6000+:￥1.0099
15000+:￥0.94
30000+:￥0.86
75000+:￥0.83
150000+:￥0.81
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDN358PON SemiconductorMOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3$0.45000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDN358PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI$0.14000
元器件资料网-Element_sh的LOGO
Element_sh		FDN358PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -30V3000+:￥1.08
6000+:￥1.0099
15000+:￥0.94
30000+:￥0.86
75000+:￥0.83
150000+:￥0.811+:￥3.42
10+:￥2.29
100+:￥1.28
1000+:￥0.96
3000+:￥0.96
9000+:￥0.96
24000+:￥0.88
45000+:￥0.861+:￥3.68
10+:￥2.46
100+:￥1.37
1000+:￥1.03
3000+:￥0.86
9000+:￥0.8
24000+:￥0.74
45000+:￥0.723000+:￥0.533000+:￥0.86
6000+:￥0.81
9000+:￥0.79490+:￥0.861+:￥4.09
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		FDN358PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -30V3000+:￥1.08
6000+:￥1.0099
15000+:￥0.94
30000+:￥0.86
75000+:￥0.83
150000+:￥0.811+:￥3.42
10+:￥2.29
100+:￥1.28
1000+:￥0.96
3000+:￥0.96
9000+:￥0.96
24000+:￥0.88
45000+:￥0.861+:￥3.68
10+:￥2.46
100+:￥1.37
1000+:￥1.03
3000+:￥0.86
9000+:￥0.8
24000+:￥0.74
45000+:￥0.72
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		FDN358PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -30V3000+:￥1.08
6000+:￥1.0099
15000+:￥0.94
30000+:￥0.86
75000+:￥0.83
150000+:￥0.811+:￥3.42
10+:￥2.29
100+:￥1.28
1000+:￥0.96
3000+:￥0.96
9000+:￥0.96
24000+:￥0.88
45000+:￥0.861+:￥3.68
10+:￥2.46
100+:￥1.37
1000+:￥1.03
3000+:￥0.86
9000+:￥0.8
24000+:￥0.74
45000+:￥0.723000+:￥0.533000+:￥0.86
6000+:￥0.81
9000+:￥0.79
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Mouser 贸泽电子		FDN358PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -30V3000+:￥1.08
6000+:￥1.0099
15000+:￥0.94
30000+:￥0.86
75000+:￥0.83
150000+:￥0.811+:￥3.42
10+:￥2.29
100+:￥1.28
1000+:￥0.96
3000+:￥0.96
9000+:￥0.96
24000+:￥0.88
45000+:￥0.86
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Mouser 贸泽电子		FDN358PON Semiconductor / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -30V1:¥3.3787
10:¥2.5312
100:¥1.3786
1,000:¥1.02943
3,000:¥0.89157
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		FDN358PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -30V3000+:￥1.08
6000+:￥1.0099
15000+:￥0.94
30000+:￥0.86
75000+:￥0.83
150000+:￥0.811+:￥3.42
10+:￥2.29
100+:￥1.28
1000+:￥0.96
3000+:￥0.96
9000+:￥0.96
24000+:￥0.88
45000+:￥0.861+:￥3.68
10+:￥2.46
100+:￥1.37
1000+:￥1.03
3000+:￥0.86
9000+:￥0.8
24000+:￥0.74
45000+:￥0.723000+:￥0.533000+:￥0.86
6000+:￥0.81
9000+:￥0.79490+:￥0.861+:￥4.09
10+:￥2.74
100+:￥1.51993000+:￥0.81
6000+:￥0.6899
12000+:￥0.59
24000+:￥0.551+:￥2.37
25+:￥2.3499
50+:￥2.3301
100+:￥2.31
300+:￥2.26
500+:￥2.24
1000+:￥2.22
5000+:￥2.21
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		FDN358PON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.5A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：125mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道1+:￥1.0686
10+:￥0.855
30+:￥0.8157
100+:￥0.7765
500+:￥0.759
1000+:￥0.7504
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