| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Am2 | FDN359AN | Fairchild Semiconductor | FET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 N-CH 30V | 1+:￥5.26
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立创商城 | FDN359AN | ON(安森美) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：46mΩ @ 2.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道 | 1+:￥2.0323
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立创商城 | FDN359AN | SHIKUES(时科) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道 | 10+:￥0.296158
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