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FDN357N /MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
FDN357N的规格信息
FDN357N的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SSOT-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:1.9 A

Rds On-漏源导通电阻:81 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.12 mm

长度:2.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:FDN357N

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.4 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:5 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns

典型接通延迟时间:5 ns

零件号别名:FDN357N_NL

单位重量:30 mg

供应商FDN357N
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深圳市维基鸿电子有限公司FDN357N赛格科技园2栋100813148740189/ 19520735817/13632918917
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文小姐,米小姐,朱小姐Email:1076822082@QQ.COM询价
深圳市芯幂科技有限公司FDN357N深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司FDN357Nwww.nowchip.com0755-27381274
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许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市成源运利电子科技有限公司FDN357N深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
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深圳市坤融电子有限公司FDN357N航都大厦10I0755-23990975
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深圳市辉华拓展电子有限公司FDN357N深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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芯莱德电子(香港)有限公司FDN357N深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市高捷芯城科技有限公司FDN357N深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市安富世纪电子有限公司FDN357N深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市高捷半导体有限公司FDN357N深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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深圳市辰芯伟业科技有限公司FDN357N华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市毅创腾电子科技有限公司FDN357N深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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FDN357NN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO84.63 Kbytes共4页FDN357N的PDF下载地址NDP4060L,SI3442DV,CEP6030LS2,CEP7060LR,P3055LS,P75N02LS,CEP06N5,NDP6060L,NDS331N,CEP6031L
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Am2
FDN357NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 N-CH 30V1+:¥4.09
10+:¥3.22
25+:¥2.72
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FDN357NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 N-CH 30V1+:¥4.09
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FDN357NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 N-CH 30V1+:¥4.09
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45000+:¥0.813000+:¥0.62
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Digi-Key 得捷电子
FDN357NON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3$0.54000
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Digi-Key 得捷电子
FDN357NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 N-CH 30V1+:¥4.09
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1000+:¥1.13
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Future(富昌)
FDN357NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 N-CH 30V1+:¥4.09
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24000+:¥0.74
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Mouser 贸泽电子
FDN357NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 N-CH 30V1+:¥4.09
10+:¥3.22
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1000+:¥1.131+:¥3.25
10+:¥2.15
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1000+:¥0.9
3000+:¥0.9
9000+:¥0.9
24000+:¥0.83
45000+:¥0.81
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
FDN357NON Semiconductor / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
3,000:¥0.99892
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Verical
FDN357NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 N-CH 30V1+:¥4.09
10+:¥3.22
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立创商城
FDN357NON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.9A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道1+:¥1.39
10+:¥1.0649
30+:¥1.0052
100+:¥0.9454
500+:¥0.9189
1000+:¥0.9058