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FDN361BN /MOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
FDN361BN的规格信息
FDN361BN的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SSOT-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:1.4 A

Rds On-漏源导通电阻:110 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.12 mm

长度:2.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:FDN361BN

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.4 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16 ns

典型接通延迟时间:3 ns

单位重量:30 mg

供应商FDN361BN
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现代芯城(深圳)科技有限公司FDN361BNwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDN361BN深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司FDN361BN深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市振钰科技有限公司FDN361BN深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I0755-85270799
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FDN361BN30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO103.85 Kbytes共5页FDN361BN的PDF下载地址FDB8832,FDP5800,FDS8949,MLP1N06CL,FDMB668P,FDR6674A,FDFS6N548,FDS6690A,NTLTD7900ZR2_06,STB70NFS03L_06
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100+:¥2.8201
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99000+:¥1.14343+:¥1.23
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FDN361BNON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3$0.45000
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FDN361BNON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET1:¥3.616
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Mouser 贸泽电子
FDN361BNFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET1+:¥4.45
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FDN361BNON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.4A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:110mΩ @ 1.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道1+:¥1.1332
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