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FDN5630_F095 /Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
FDN5630_F095的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:PowerTrench®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.7A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 1.7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):400pF @ 15V

功率 - 最大值:460mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SuperSOT-3

其它名称:FDN5630_F095TR

供应商FDN5630_F095
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FDN5630_F095Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品1+:¥4.02
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