| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Am2 | FDN338P | Fairchild Semiconductor | FET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -20V | 1+:￥4.1601
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立创商城 | FDN338P | ON(安森美) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.6A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：115mΩ @ 1.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道 | 1+:￥0.9922
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立创商城 | FDN338P | UMW(友台半导体) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.6A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：115mΩ @ 1.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道 | 10+:￥0.230097
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立创商城 | FDN338P | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 | 10+:￥0.191575
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立创商城 | FDN338P-NL | VBsemi(台湾微碧) | MOS(场效应管) | 5+:￥0.432659
50+:￥0.319704
150+:￥0.298957
500+:￥0.27821
2500+:￥0.268989
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