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FDN336P /MOSFET SSOT-3 P-CH -20V
FDN336P的规格信息
FDN336P的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SSOT-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:1.3 A

Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.12 mm

长度:2.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:FDN336P

晶体管类型:1 P-Channel

类型:MOSFET

宽度:1.4 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:4 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16 ns

典型接通延迟时间:7 ns

零件号别名:FDN336P_NL

单位重量:30 mg

供应商FDN336P
FDN336P的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
深圳亿恒升电子有限公司FDN336P都会100A座24A0755-29992989，0755-23945396
18938644687，15013565437		苏先生，李小姐Email:1356901849@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDN336P深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司FDN336Pwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市微碧半导体有限公司FDN336P-NL-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市华芯盛世科技有限公司FDN336P深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312		朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
深圳市成源运利电子科技有限公司FDN336P深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司FDN336P深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司FDN336P航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司FDN336P深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FDN336P深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司FDN336P深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司FDN336P深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司FDN336P华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司FDN336P深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市高捷半导体有限公司FDN336P深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司FDN336P深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司FDN336P深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453，18929374037，18922803401		连Email:seven@7-ic.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司FDN336P华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市斌腾达科技有限公司FDN336P深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市大源实业科技有限公司FDN336P深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
15302619915，13762584085		李小姐Email:dysykj005@foxmail.com询价
FDN336P及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
FDN336PSingle P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO64.21 Kbytes共5页FDN336P的PDF下载地址FDS6375,USB10P,FDS6875,FDS8433A,FDC6327C,FDZ202P,FDC637AN,FDC638P,FDR838P,FDC640P
FDN336PSingle P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO77.87 Kbytes共5页FDN336P的PDF下载地址FDC608PZ,FDC638APZ,FDMA420NZ_0609,FDZ493P,FDMA291P,FDW2502P_03,FDC602P_01,FDC634P_01,FDC638P_01,FDC640P_01
FDN336PSuperSOT-3 TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO257.29 Kbytes共2页FDN336P的PDF下载地址无
FDN336PP-Channel Enhancement MOSFET KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]的LOGO131.04 Kbytes共4页FDN336P的PDF下载地址无
FDN336P_05Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO77.87 Kbytes共5页FDN336P_05的PDF下载地址FDC608PZ,FDC638APZ,FDMA420NZ_0609,FDZ493P,FDMA291P,FDW2502P_03,FDC602P_01,FDC634P_01,FDC638P_01,FDC640P_01
FDN336P-NLP-Channel 20-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1039.82 Kbytes共9页FDN336P-NL的PDF下载地址无
FDN336P的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2		FDN336PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -20V3000+:￥1.06
6000+:￥0.9901
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1000+:￥0.87
3000+:￥0.81
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12000+:￥0.743000+:￥0.6501
9000+:￥0.64470+:￥0.89
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FDN336PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -20V3000+:￥1.06
6000+:￥0.9901
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		FDN336PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -20V3000+:￥1.06
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDN336PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -20V3000+:￥1.06
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150000+:￥0.81
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDN336P-NLON SemiconductorMOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3Obsolete
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDN336P-NLFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品价格未公开
元器件资料网-Element_sh的LOGO
Element_sh		FDN336PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -20V3000+:￥1.06
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		FDN336PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -20V3000+:￥1.06
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		FDN336PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -20V3000+:￥1.06
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDN336PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -20V3000+:￥1.06
6000+:￥0.9901
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDN336PON Semiconductor / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V1:¥3.5369
10:¥2.9719
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
3,000:¥1.1978
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		FDN336PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET SSOT-3 P-CH -20V3000+:￥1.06
6000+:￥0.9901
15000+:￥0.92
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10+:￥1.75
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10+:￥1.88
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1000+:￥0.87
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12000+:￥0.743000+:￥0.6501
9000+:￥0.64470+:￥0.891+:￥3.12
10+:￥2.08
100+:￥1.381+:￥0.791+:￥0.71
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		FDN336PON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：200mΩ @ 1.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道1+:￥0.8594
10+:￥0.6537
30+:￥0.616
100+:￥0.5782
500+:￥0.5614
1000+:￥0.5531
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		FDN336PSHIKUES(时科)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：120mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：P沟道10+:￥0.30207
100+:￥0.223102
300+:￥0.208598
1000+:￥0.194093
5000+:￥0.187647
10000+:￥0.184462
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		FDN336P-NLVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)5+:￥0.426915
50+:￥0.31546
150+:￥0.294988
500+:￥0.247065
2500+:￥0.238877
5000+:￥0.234831
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