制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SSOT-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:1.5 A

Rds On-漏源导通电阻:136 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:3.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

封装:Reel

高度:1.12 mm

长度:2.9 mm

系列:FDN308P

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.4 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:12 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns

典型接通延迟时间:8 ns

单位重量:30 mg