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FDN306P_F095 /Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
FDN306P_F095的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:PowerTrench®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动

漏源极电压(Vdss):12V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.6A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 2.6A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1138pF @ 6V

功率 - 最大值:460mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SuperSOT-3

其它名称:FDN306P_F095TRFDN306PF095

供应商FDN306P_F095
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