FET 类型：3 N 沟道（半桥 + 同步自举）

FET 功能：GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：60V，100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.7A，500mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 2.5A, 5V, 3.3 欧姆 @ 2.5A, 5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：22pF @ 30V, 7pF @ 30V

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：9-VFBGA

供应商器件封装：9-BGA (1.35x1.35)

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs